| 发明名称 | 一种具有交换偏置效应的铁氧化物薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有交换偏置效应的铁氧化物薄膜及其制备方法，所述铁氧化物薄膜包含反铁磁性氧化亚铁薄层、以及在所述反铁磁性氧化亚铁薄层上外延生长的亚铁磁性四氧化三铁薄层。 | ||
| 申请公布号 | CN104313685A | 申请公布日期 | 2015.01.28 |
| 申请号 | CN201410581890.X | 申请日期 | 2014.10.27 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 朱秋香;李效民;郑仁奎;高相东 |
| 分类号 | C30B23/02(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 主分类号 | C30B23/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种具有交换偏置效应的铁氧化物薄膜，其特征在于，所述铁氧化物薄膜包含反铁磁性氧化亚铁薄层、以及在所述反铁磁性氧化亚铁薄层上外延生长的亚铁磁性四氧化三铁薄层。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||