| 发明名称 | 碳化硅半导体器件 | ||
| 摘要 | 集电极层(19)由具有第一导电类型的碳化硅制成。开关元件(80)设置在集电极层(19)上。开关元件(80)包括用于控制具有第二导电类型的沟道(CH)的结型栅极(32)，第二导电类型不同于第一导电类型。 | ||
| 申请公布号 | CN104321855A | 申请公布日期 | 2015.01.28 |
| 申请号 | CN201380026182.3 | 申请日期 | 2013.04.23 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 林秀树 |
| 分类号 | H01L21/337(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L27/095(2006.01)I;H01L27/098(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/337(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种碳化硅半导体器件，包括：集电极层，所述集电极层由具有第一导电类型的碳化硅制成；以及开关元件，所述开关元件设置在所述集电极层上，所述开关元件包括用于控制具有第二导电类型的沟道的结型栅极，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||