一种低衰减弯曲不敏感单模光纤

摘要

本发明涉及一种低衰减弯曲不明感单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述芯层的相对折射率差Δ1为0.30%~0.38%，半径R1为3.5μm~4.5μm，芯层外有四个包层，第一包层为紧密围绕芯层的第一内包层，其相对折射率差Δ2为-0.02%~0.02%，半径R2为6.5μm~8.5μm，第二包层为紧密围绕第一内包层的第二内包层，其相对折射率差Δ3为-0.02%~0.02%，半径R3为8μm~11μm，第三包层为下陷包层，紧密围绕第二内包层，其相对折射率差Δ4为-0.5%~-0.2%，半径R4为12μm~20μm，第四包层为紧密围绕下陷包层的外包层，为纯石英玻璃层。本发明能与G.652.D光纤完全匹配，从而实现低衰减、大有效面积、抗弯曲性能更好的统一。

主权项

一种低衰减弯曲不敏感单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述芯层的相对折射率差Δ1为0.30%~0.38%，半径R1为3.5μm~4.5μm，芯层外有四个包层，第一包层为紧密围绕芯层的第一内包层，其相对折射率差Δ2为‑0.02%~0.02%，半径R2为6.5μm~8.5μm，第二包层为紧密围绕第一内包层的第二内包层，其相对折射率差Δ3为‑0.02%~0.02%，半径R3为8μm~11μm，第三包层为下陷包层，紧密围绕第二内包层，其相对折射率差Δ4为‑0.5%~‑0.2%，半径R4为12μm~20μm，第四包层为紧密围绕下陷包层的外包层，为纯石英玻璃层。