| 发明名称 | 存储器I/O接口的非接触应力测试 | ||
| 摘要 | 实施例一般针对存储器输入/输出（I/O）接口的非接触应力测试。存储器装置的实施例包括与动态随机存取存储器（DRAM）耦合的系统元件，该系统元件包括：用于与DRAM连接的存储器接口，该接口包括驱动器和接收器；用于控制DRAM的存储器控制器；和用于测试I/O接口的定时应力测试逻辑。 | ||
| 申请公布号 | CN104321824A | 申请公布日期 | 2015.01.28 |
| 申请号 | CN201380028175.7 | 申请日期 | 2013.05.30 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | S.M.梅农;R.R.勒德 |
| 分类号 | G11C29/02(2006.01)I;G11C29/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C29/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张金金;汤春龙 |
| 主权项 | 一种设备，其包括：系统元件，与动态随机存取存储器（DRAM）耦合，所述系统元件包括：存储器输入/输出（I/O）接口，用于与所述DRAM连接，所述接口包括驱动器和接收器，存储器控制器，用于控制所述DRAM，和定时应力测试逻辑，用于测试所述存储器I/O接口。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||