| 发明名称 | 一种适用于体硅CMOS可抑制寄生闩锁效应的器件结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种适用于体硅CMOS可抑制寄生闩锁效应的器件结构，包括设置有保护环结构的NMOS和PMOS，其特征在于，还设置有势垒阱结构，势垒阱设置于NMOS与PMOS的保护环之间，其材质为与衬底杂质类型相反的掺杂区，其深度与体硅CMOS阱的结深相同，势垒阱的电位处于悬浮状态。 | ||
| 申请公布号 | CN104319286A | 申请公布日期 | 2015.01.28 |
| 申请号 | CN201410608886.8 | 申请日期 | 2014.11.04 |
| 申请人 | 北京奥贝克电子股份有限公司 | 发明人 | 吕宗森;徐立 |
| 分类号 | H01L29/735(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/735(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京知本村知识产权代理事务所 11039 | 代理人 | 周自清 |
| 主权项 | 一种适用于体硅CMOS可抑制寄生闩锁效应的器件结构，包括设置有保护环结构的NMOS和PMOS，其特征在于，还设置有势垒阱结构，势垒阱设置于NMOS与PMOS的保护环之间，其材质为与衬底杂质类型相反的掺杂区，其深度与体硅CMOS阱的结深相同，势垒阱的电位处于悬浮状态。 | ||
| 地址 | 100088 北京市海淀区北三环中路31号泰思特大厦606 | ||