| 摘要 |
<p>【課題】非対称リセス構造を簡便かつ生産性を損なうことなく導入する。【解決手段】半導体結晶基板１上に、バッファ層２、チャネル層３、障壁層４、パッシベーション層５、第１のオーミックキャップ層６、第２のオーミックキャップ層７の順に積層され、障壁層４内にキャリア供給層８が含まれる非対称リセス構造の電界効果型トランジスタであって、少なくとも２種類の半導体層から構成されるオーミックキャップ層６・７と、ゲート電極１１とドレイン電極１０間のリセス領域であるドレイン電極側リセス領域１３と、ゲート電極１１とソース電極９間のリセス領域であるソース電極側リセス領域１２とを備え、ドレイン電極側リセス領域１３がソース電極側リセス領域１２より大きく、ドレイン電極側リセス領域１３のドレイン電極側終端部におけるオーミックキャップ層６・７の段差部が少なくとも２種類の半導体層から構成されている。【選択図】図１</p> |
