半导体装置和半导体装置的制造方法

摘要

由n⁺层(11)/n^-层(10)/p⁺层(12)/n^-层(10)的基本结构(103)构成保护用二极管(101)。通过使构成保护用二极管(101)的p型层为高杂质浓度的p⁺层(12)，能够抑制耗尽层的延伸，减小保护用二极管(101)的面积。另外，通过扩散系数大的磷原子的离子注入来在构成保护用二极管(101)的多晶硅层(9)形成低杂质浓度的n^-层(10)，并通过1000℃以上的热处理使注入到多晶硅层(9)的磷原子扩散，由此能够使n^-层(10)的深度方向的杂质分布在深度方向上一致。其结果，高杂质浓度的p⁺层(12)与低杂质浓度的n^-层(10)之间的pn接合面与衬底主表面大致垂直，能够抑制电场集中于p⁺层(12)与n^-层(10)之间的pn结处。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底；绝缘膜，其配置在上述半导体衬底上；以及保护用元件，其由配置在上述绝缘膜上的多晶硅层构成，对浪涌电压进行钳制，其中，上述保护用元件具有包括第一导电型的第一半导体层、第一导电型的第二半导体层、第二导电型的第三半导体层以及第一导电型的第四半导体层的一个单位结构或者将两个以上的上述单位结构串联连接而成的结构，该第一导电型的第二半导体层在一端与上述第一半导体层接触且杂质浓度低于该第一半导体层的杂质浓度，该第二导电型的第三半导体层在上述第二半导体层的另一端与上述第二半导体层接触且杂质浓度高于该第二半导体层的杂质浓度，该第一导电型的第四半导体层在一端与上述第三半导体层接触并且杂质浓度低于该第三半导体层的杂质浓度且与上述第二半导体层的杂质浓度大致相同，上述保护用元件的一端部是上述第一半导体层，上述保护用元件的另一端部是具有与上述第一半导体层大致相同的杂质浓度的第一导电型的第五半导体层。