发明名称 PROCEDE DE REDUCTION DE COMPOSE EN COUCHE SUR UN SUBSTRAT ET SON APPLICATION A LA FABRICATION DE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE A EFFET DE CHAMP
摘要 LE PROCEDE DE L'INVENTION COMPREND DEUX ETAPES: LA PREMIERE ETAPE CONSISTE A CREER UNE COUCHE D'ELECTROLYTE 3 A LA SURFACE DE LA COUCHE A REDUIRE 2, CELLE-CI ETANT UNE COUCHE SUPERFICIELLE OXYDEE D'UN SUBSTRAT 1; ET UNE SECONDE ETAPE, PENDANT LAQUELLE LA COUCHE 2 EST REDUITE AU TRAVERS DE LA COUCHE D'ELECTROLYTE 3, CONDUCTEUR IONIQUE DE L'ESPECE IONISANTE. SELON UNE PREMIERE VARIANTE, LA SECONDE ETAPE S'EFFECTUE PAR REDUCTION THERMIQUE EN ATMOSPHERE REDUCTRICE ET SELON UNE SECONDE VARIANTE, PAR EXPOSITION A UN PLASMA REDUCTEUR.APPLICATION NOTAMMENT A LA REDUCTION D'OXYDES NATIFS FORMES A LA SURFACE D'ARSENIURE DE GALLIUM.
申请公布号 FR2529384(A1) 申请公布日期 1983.12.30
申请号 FR19820011215 申请日期 1982.06.25
申请人 THOMSON CSF 发明人 MICHEL CROSET ET LOUIS MERCANDALLI;MERCANDALLI LOUIS
分类号 H01L29/78;H01L21/306;H01L21/311;H01L21/316;H01L21/324;H01L29/51;(IPC1-7):H01L21/30 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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