| 发明名称 | 垂直功率部件 | ||
| 摘要 | 本公开涉及一种垂直功率部件，包括第一导电类型的硅衬底，在衬底的下表面上有第二导电类型的阱。第一阱在部件外围处与绝缘多孔硅圆环接界。多孔硅环的上表面仅与第一导电类型的衬底接触。绝缘多孔硅圆环向下穿入衬底中至大于阱的厚度的深度。 | ||
| 申请公布号 | CN204130543U | 申请公布日期 | 2015.01.28 |
| 申请号 | CN201420602785.5 | 申请日期 | 2014.10.16 |
| 申请人 | 意法半导体(图尔)公司;法国国立图尔大学 | 发明人 | S·梅纳德;G·戈蒂埃 |
| 分类号 | H01L29/747(2006.01)I;H01L21/332(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/747(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;张宁 |
| 主权项 | 一种垂直功率部件，其特征在于，包括：第一导电类型的硅衬底；第二导电类型的第一阱，在所述衬底的下表面上；在所述衬底中的第一绝缘多孔硅环，在所述部件的外围边界处，所述第一绝缘多孔硅环的上表面仅与所述第一导电类型的所述衬底接触；其中所述第一绝缘多孔硅环穿入所述衬底中至大于所述第一阱的厚度的深度。 | ||
| 地址 | 法国图尔 | ||