| 发明名称 | 半导体装置以及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有相对于氮化物半导体的接触电阻较低的电极。该制造方法具有：含碳层形成工序，在氮化物半导体层上形成含有碳的含碳层；含钛层形成工序，在含碳层上形成含有钛的含钛层。在含钛层和氮化物半导体层之间形成TiN和TiC的无限固溶体Ti(C，N)的层。由此，含钛层在其边界部整体上相对于氮化物半导体层被欧姆接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102668040B | 申请公布日期 | 2015.01.28 |
| 申请号 | CN201080042659.3 | 申请日期 | 2010.09.02 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 杉本雅裕;関章宪;川桥宪;高桥康夫;前田将克 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I;H01L33/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 黄威;孙丽梅 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，具有：碳层形成工序，在n型的氮化物半导体层上形成碳层；钛层形成工序，在碳层上形成钛层，氮化物半导体层中的氮、碳层中的碳、以及钛层中的钛发生反应，从而在氮化物半导体层上形成碳化钛和氮化钛的无限固溶体层。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||