发明名称 |
碳化硅半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
一种SiC半导体器件包括衬底(1)、漂移层(2)、基极区(3)、源极区(4)、沟槽(6)、栅极氧化物膜(7)、栅电极(8)、源电极(9)和漏电极(11)。衬底(1)以Si面作为主表面。源极区(4)具有Si面。从所述源极区(4)的表面到比所述基极区(3)更深的部分提供沟槽(6),所述沟槽(6)在一个方向上沿纵向延伸并具有Si面底部。所述沟槽(6)至少在与所述基极区(3)接触的部分具有倒锥形形状,该倒锥形形状在入口部分的宽度比底部更小。 |
申请公布号 |
CN102569367B |
申请公布日期 |
2015.01.28 |
申请号 |
CN201110435840.7 |
申请日期 |
2011.12.22 |
申请人 |
株式会社电装;丰田自动车株式会社 |
发明人 |
三村智博;宫原真一朗;高谷秀史;杉本雅裕;副岛成雅;石川刚;渡边行彦 |
分类号 |
H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/423(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈松涛;王英 |
主权项 |
一种碳化硅半导体器件,包括:由碳化硅制成且以Si面作为主表面的衬底(1),所述衬底(1)具有第一导电类型或第二导电类型;由碳化硅制成并形成于所述衬底(1)上的漂移层(2),所述漂移层(2)具有第一导电类型并具有比所述衬底(1)的杂质浓度更低的杂质浓度;由碳化硅制成并形成于所述漂移层(2)上的基极区(3),所述基极区(3)具有第二导电类型;由碳化硅制成并形成于所述基极区(3)的表面部分中的源极区(4),所述源极区(4)具有Si面,所述源极区(4)具有第一导电类型且杂质浓度高于所述漂移层(2)的杂质浓度;提供在从所述源极区(4)的表面到比所述基极区(3)更深的部分的沟槽(6),所述沟槽(6)在一个方向上沿纵向延伸并具有Si面底部;形成于所述沟槽(6)的内壁上的栅极氧化物膜(7);形成于所述沟槽(6)中的所述栅极氧化物膜(7)上的栅电极(8);电耦合至所述源极区(4)和所述基极区(3)的源电极(9);以及形成于所述衬底(1)的后表面上的漏电极(11),其中通过控制施加到所述栅电极(8)的电压以及经过所述源极区(4)和所述漂移层(2)在所述源电极(9)和所述漏电极(11)之间流动的电流,在所述基极区(3)与所述沟槽(6)接触的表面部分中形成沟道区,并且其中所述沟槽(6)在与所述基极区(3)接触的部分具有倒锥形形状,所述倒锥形形状在入口部分的宽度比底部更小,其中所述沟槽(6)具有与所述漂移层(2)接触的修圆的底部角部,并且其中在所述沟槽(6)的入口部分,所述沟槽(6)的侧壁的一部分垂直于所述衬底(1)的表面。 |
地址 |
日本爱知县 |