一种GaN基LED芯片表面粗化的方法

摘要

本发明公开了一种GaN基LED芯片表面粗化的方法，包括：1)在半导体衬底上依次成长GaN缓冲层、不掺杂GaN层、n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层；当只需在AZO电流扩展层上制作粗化结构时，在p-GaN层上生长AZO电流扩展层；2)制备Ag纳米颗粒掩膜，在AZO电流扩展层或p-GaN层上制作粗化结构。其中，在p-GaN上制作粗化结构后，再对具有粗化结构的P-GaN层进行二次外延，生长AZO电流扩展层。所述制备方法成本低，可以制作大面积光子晶体结构，同时适用范围广，可在不同半导体材料上实现，并使之形成光子晶体结构；此外，本发明制备的阳极氧化铝掩膜的周期可控，且光子晶体结构容易实现。

主权项

一种GaN基LED芯片表面粗化的方法，其特征在于，在掺铝氧化锌电流扩展层上制作粗化结构包括以下步骤：(1)制备金属纳米颗粒掩膜：制备50nm‑1μm厚的阳极氧化铝掩膜板，将阳极氧化铝掩膜板覆盖在掺铝氧化锌电流扩展层的表面上，去除Al基板，对阳极氧化铝掩膜板扩孔；在阳极氧化铝掩膜上蒸镀金属层，腐蚀阳极氧化铝掩膜形成金属纳米颗粒掩膜；(2)在覆盖有金属纳米颗粒掩膜的掺铝氧化锌电流扩展层上制作粗化结构：对覆盖有金属纳米颗粒掩膜的掺铝氧化锌电流扩展层表面进行刻蚀，刻蚀后去除金属纳米颗粒，形成光子晶体的粗化结构。