三栅石墨烯鳍式场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三栅石墨烯鳍式场效应晶体管及其制造方法，通过在衬底上鳍结构中间的栅极位置覆盖形成三个表面的石墨烯层，再依次沉积栅极介质层和栅极电极层，从而形成三栅结构，以形成3D器件，可以提高晶体管的电学性能，并相较于单栅和双栅结构，本发明的三栅结构还可缩小晶体管占用的硅片表面面积。

主权项

一种三栅石墨烯鳍式场效应晶体管，其特征在于，其包括：衬底、衬底上的介质层以及介质层上的鳍结构，所述鳍结构为立方体形状且包括中间位置的栅极以及两端位置的源/漏电极，所述栅极具有不与下层介质层相接触的三个表面，每个所述表面依次覆盖石墨烯层、栅极介质层以及栅极电极层，以形成三栅结构。