| 摘要 |
1. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой, содержащий сетку непараллельных дислокаций, причем сетка непараллельных дислокаций содержит множество дислокаций, формирующих сетку взаимно пересекающихся дислокаций, как это видно на рентгеновском топографическом изображении сечения или в условиях люминесцентной методики, причем слой монокристаллического CVD синтетического алмаза имеет толщину, равную или большую, чем 1 мкм, при этом сетка непараллельных дислокаций простирается по объему, составляющему, по меньшей мере, 30% от полного объема монокристаллического CVD синтетического алмазного слоя, и при этом направление, в котором распространяется дислокация, измеряется по среднему направлению, по меньшей мере, по 30% от полной длины дислокации.2. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1, причем слой монокристаллического CVD синтетического алмаза имеет толщину, равную или большую, чем 10 мкм, 50 мкм, 100 мкм, 500 мкм, 1 мм, 2 мм или 3 мм.3. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, содержащий плотность дислокаций в пределах от 10 смдо 1×10см, от 1×10смдо 1×10смили от 1×10смдо 1×10см.4. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, содержащий значение двулучепреломления, равное или меньшее, чем 5×10, 5×10, 1×10, 5×10или 1×10.5. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п.1 или 2, причем монокристаллический CVD синтетический алмазный слой представляет собой слой с ориентацией {110} или {113}.6. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, в котором сетка непараллельных дислокаций простирается по объему, составляющему, по меньшей мере, 40%, 50%, 60%, 70%, 80% или 90% от полно |
