| 摘要 |
1. Плазменное устройство для CVD, включающее:вакуумную камеру;пару роликов для напыления, расположенных в вакуумной камере, вокруг которой намотана подложка, которая является мишенью для осаждения; исекцию для генерирования магнитного поля, которая генерирует генерирующее плазму магнитное поле на поверхности роликов для напыления, формируя участок для осаждения, на котором напыляют покрытие на подложку, намотанную вокруг роликов для напыления, при этомпара роликов для напыления включает первый ролик для напыления и второй ролик для напыления, отделенный от первого ролика для напыления промежутком таким образом, что центр его оси параллелен центру оси первого ролика для напыления, игенерирующая магнитное поле секция расположена таким образом, что первый участок для напыления сформирован в контр-пространстве, которое представляет собой пространство между парой роликов для напыления, а второй участок для напыления сформирован на участке, смежном с поверхностью роликов для напыления, в качестве участка для напыления, при этом данный участок находится вне контр-пространства.2. Плазменное устройство для CVD по п.1,в котором пара роликов для напыления, расположена таким образом, что центры осей соответственно направлены в горизонтальном направлении, и центры осей параллельны одна другой с промежутком в горизонтальном направлении, ивторой участок для напыления сформирован вдоль участка, более низкого, чем контр-пространство на поверхности ролика для напыления.3. Плазменное устройстве для CVD по п.2, в которомплазменное устройство для CVD включает секцию для подачи газа, подающую технологический газ, используемый п |
