| 摘要 |
Способ определения напряжения локализации тока в мощных ВЧ и СВЧ биполярных транзисторах, состоящий в том, что контролируемый транзистор включается по схеме с общей базой, задается постоянный эмиттерный ток, на коллектор контролируемого транзистора подается сумма линейно нарастающего напряжения, не превышающего предельно допустимого значения для данного типа транзисторов при заданном токе, и низкочастотного синусоидального напряжения с малой амплитудой, измеряют амплитуду,,переменной составляющей напряжения на эмиттере контролируемого транзистора при трех значениях напряжения U, U, Uна коллекторе контролируемого транзистора соответственно и искомое напряжение локализации вычисляют по формулегде,,. |
