厚い金属層を有する半導体発光デバイス

摘要

本発明の実施形態に係るデバイスは、ｎ型領域とｐ型領域との間に挟まれた発光層と、ｎ型領域に直接接触する第１金属コンタクト及びｐ型領域に直接接触する第２金属コンタクトとを含む。第１及び第２金属コンタクト上には、第１及び第２金属層がそれぞれ配置される。第１及び第２金属層は、半導体構造体を機械的に支持するのに十分な厚さを有する。第１又は第２金属層の側壁は、立体形体を有する。