| 摘要 |
<p>シリコン・オン・インシュレータ物質を製造する方法は、第１のシリコン基板に熱的に結合された第１の窒化アルミニウム層を形成する工程と、少なくともシリコンの表面層を有する第２の基板に熱的に結合された第２の窒化アルミニウム層を形成する工程と、第１および第２の窒化アルミニウム層が第１および第２の基板との間に配置されるように、第１および第２の基板の前記第１および第２の窒化アルミニウム層を一緒に接着する工程と、第１および第２の窒化アルミニウム層により、第１のシリコン基板に対して電気的に絶縁されるが、熱的に結合されるシリコン層を残して、第２の基板のほとんどを除去する工程とを有する。</p> |
