| 摘要 |
<p>今回開示されている技術は、光学損失が低い金属フッ化物薄膜をイオン・スパッタ成膜法で成膜することをアシストするために、解離したフッ素（１２０）と水素および酸素のうちの少なくとも一方（１２２）とを用いる。前記解離したフッ素と水素および酸素のうちの少なくとも一方とは、前記スパッタ成膜法が実行される包囲体（１１６）内に注入される。前記解離したフッ素と水素および酸素のうちの少なくとも一方とは、金属フッ化物材料をターゲット（１０４）からスパッタすること、および／または、そのスパッタされた金属フッ化物材料を１または複数の基板（１０６）上に成膜することをアシストする。【選択図】図１</p> |
