| 摘要 |
<p>Eine Halbleitervorrichtung weist auf: eine Driftschicht (2) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp; eine Basisschicht (3) mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp und in einem Oberflächenschichtabschnitt der Driftschicht (2) ausgebildet; eine Emitterschicht (7) mit dem ersten Leitfähigkeitstyp und in einem Oberflächenschichtabschnitt der Basisschicht (3 ausgebildet; eine Pufferschicht (11) mit dem ersten Leitfähigkeitstyp und an einer Stelle der Driftschicht (2) getrennt von der Basisschicht (3) ausgebildet; eine Kollektorschicht (12) mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp und selektiv in der Pufferschicht (11) ausgebildet; einen Gateisolationsfilm (5) in Kontakt mit einem Kanalbereich, der ein Abschnitt der Basisschicht (3) ist, der zwischen der Driftschicht (2) und der Emitterschicht (7) eingeschlossen ist; eine Gateelektrode (6), die auf dem Gateisolationsfilm (5) ausgebildet ist; eine erste Elektrode (10), die elektrisch mit der Basisschicht (3) und der Emitterschicht (7) verbunden ist; und eine zweite Elektrode (13), welche elektrisch mit der Pufferschicht (11) und der Kollektorschicht (12) verbunden ist. Die Pufferschicht (11) hat eine Ladungsträgerdichte, die kleiner ist als eine Raumladungsdichte.</p> |
