发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Sensors
摘要 Verfahren zum Herstellen eines Sensors (10), das die Schritte aufweist: Bilden (705) einer Öffnung (350) in einer Oberfläche einer ersten Vorrichtungsschicht (110) eines ersten Vorrichtungswafers (100), wobei der erste Vorrichtungswafer (100) die erste Vorrichtungsschicht (110), eine erste Isolatorschicht (120) und eine erste Handhabungsschicht (130) aufweist, wobei die erste Isolatorschicht (120) zwischen der ersten Vorrichtungsschicht (110) und der ersten Handhabungsschicht (130) angeordnet ist; Platzieren (720) einer inneren unteren Verbindungsdurchführung (440) und einer äußeren unteren Verbindungsdurchführung (445) unterhalb der Öffnung (350) in der ersten Vorrichtungsschicht (110) in einer zueinander beabstandeten Anordnung; Platzieren (720) einer unteren Zwischenverbindung (420) zwischen der Öffnung (350) und der inneren (440) und der äußeren (445) unteren Verbindungsdurchführung in der ersten Vorrichtungsschicht (110), wobei die untere Zwischenverbindung (420) mit der inneren (440) und der äußeren (445) unteren Verbindungsdurchführung in elektrischer Verbindung steht; Bilden (730) eines Membranhohlraums (240) in einer Oberfläche einer zweiten Vorrichtungsschicht (210) eines zweiten Vorrichtungswafers (200); Verbinden (735) der Oberfläche der ersten Vorrichtungsschicht (110) mit der Oberfläche der zweiten Vorrichtungsschicht (210); Entfernen (740) der ersten Handhabungsschicht (130) und der ersten Isolatorschicht (120) von dem ersten Vorrichtungswafer (100) unter Bildung einer Membran (300) durch die erste Vorrichtungsschicht (110) über dem Membranhohlraum (240); Platzieren (750) einer inneren oberen Verbindungsdurchführung (430) und einer äußeren oberen Verbindungsdurchführung (435) zwischen der der Oberfläche gegenüberliegenden Fläche der ersten Vorrichtungsschicht (110) und der inneren (440) und äußeren (445) unteren Verbindungsdurchführung, wobei die innere obere Verbindungsdurchführung (430) mit der inneren unteren Verbindungsdurchführung (440) in elektrischer Verbindung steht und die äußere obere Verbindungsdurchführung (435) mit der äußeren unteren Verbindungsdurchführung (445) in elektrischer Verbindung steht; Platzieren (755) eines Sensorelementes (310) in der ersten Vorrichtungsschicht (110) in Bezug auf die Membran (300), um eine Durchbiegung der Membran (300) zu erfassen; ...
申请公布号 DE102011056484(B4) 申请公布日期 2015.01.22
申请号 DE20111056484 申请日期 2011.12.15
申请人 GENERAL ELECTRIC COMPANY 发明人 GAMAGE, SISIRA KANKANAM;MANTRAVADI, NARESH VENKATA
分类号 B81C3/00;B81B1/00;B81B7/02;G01L9/00 主分类号 B81C3/00
代理机构 代理人
主权项
地址