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Integrierte Schaltung, die folgende Merkmale aufweist: zwei erste benachbarte xMR-Strukturen (120, 122), wobei jede erste xMR-Struktur (120, 122) dahin gehend konfiguriert ist, ein erstes Magnetfeld zu erfassen; und zwei zweite benachbarte xMR-Strukturen (124, 126), die von den zwei ersten xMR-Strukturen (120, 122) beabstandet sind, wobei jede zweite xMR-Struktur (124, 126) dahin gehend konfiguriert ist, ein zweites Magnetfeld zu erfassen; wobei die zwei ersten xMR-Strukturen und die zwei zweiten xMR-Strukturen derart konfiguriert sind, dass das durch einen Wandler an den zwei ersten xMR-Strukturen gelieferte erste Magnetfeld von dem durch den Wandler an den zwei zweiten xMR-Strukturen gelieferten zweiten Magnetfeld um 180° phasenverschoben ist, und wobei die erste In-Ebene-Magnetfeldkomponente von der zweiten In-Ebene-Magnetfeldkomponente um 180° phasenverschoben ist, wobei die zwei ersten xMR-Strukturen (120, 122) und die zwei zweiten xMR-Strukturen für In-Ebene-Magnetfeldkomponenten konfiguriert sind, die zu dem ersten Magnetfeld und dem zweiten Magnetfeld senkrecht sind und von dem ersten Magnetfeld und dem zweiten Magnetfeld, die auf die zwei ersten xMR-Strukturen (120, 122) und die zwei zweiten xMR-Strukturen (124, 126) einwirken, um 90° phasenverschoben sind, wobei die ersten und zweiten xMR-Strukturen (120–126) geeignet sind, um eine variierende Magnetfeldrichtung zu detektieren, eine zu den zwei ersten xMR-Strukturen (120, 122) benachbarte erste Leitung (209a), die dahin gehend konfiguriert ist, eine zu dem ersten Magnetfeld senkrechte, um 90° phasenverschobene erste In-Ebene-Magnetfeldkomponente zu liefern; und eine zu den zwei zweiten xMR-Strukturen (124, 126) benachbarte zweite Leitung (209b), die dahin gehend konfiguriert ist, eine zu dem zweiten Magnetfeld senkrechte, um 90° phasenverschobene zweite In-Ebene-Magnetfeldkomponente zu liefern. |
