| 发明名称 |
GAAS FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURE THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS6352479(A) |
申请公布日期 |
1988.03.05 |
| 申请号 |
JP19860195221 |
申请日期 |
1986.08.22 |
| 申请人 |
TOSHIBA CORP |
发明人 |
TERADA TOSHIYUKI;ISHIDA KENJI |
| 分类号 |
H01L29/812;H01L21/265;H01L21/338;H01L29/80 |
主分类号 |
H01L29/812 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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