| 主权项 |
1.调谐装置包括:许多射频信号之源;射频级,包括组构为放大器之场效电晶体(FET ),及耦合至第一FET 放大器输入端以响应于调谐电压而选定射频信号之一之第一调谐电路;局部振荡器,包括以与第一FET相同方式组构为放大器之第二FET ,用以调整第二FET放大器产生振荡之振荡调整装置,和与耦合至第二FET 输入端之第一调谐电路同样方式组构,使局部振荡器响应于调谐电压以决定该局部振荡器之特定振荡频率之第二调谐电路;及混波器装置,用以使射频级与局部振荡器之输出信号相组合以产中频信号。2.根据上述请求专利部份第1.项中所述之装置,其中:第一FET 系为一双闸极FET,配置为叠接放大器组构,而第一调谐电路耦合至其第一闸极;及第二FET 系为一双闸极FET,配置为叠接放大器组构,而第二调谐电路耦合至其第一闸极。3.根据上述请求专利部份第2.项中所述之装置,其中:第一调谐电路包括第一电感元件和响应于串联耦合至第一FET 之第一闸极与基准电位点之间之调谐电压之第一变容二极体;及第二调谐电路包括第二电感元件,和响应于串联耦合至第二FET之第一闸极与基准电位点之间之调谐电压之第二变容二极体。4.根据上述请求专利部份第3.项中所述之装置,其中:第一电感元件耦合于第一FET之第一闸极与第一变容二极体之间;及第二电感元件耦合于第二FET之第一闸极与第二变容二极体之间。5.根据上述请求专利部份第2.项中所述之装置,其中;第一调谐电路包括第一电感元件和响应于调谐电压之第一主变容二极体,又射频级更包括耦合于第一FET 之第一闸极且响应于调谐电压之第一辅助变换二极体;及第二调谐电路包括第二电感元件,和第二至变容二极体,又局部振荡器包括耦合于第二FET 之第一闸极之第二辅助变容二极体,情形与第一辅助变容二极体耦合于第一FET 之第一闸极,且响应于调谐电压者相同。6.根据上述请求专利部份第5.项中所述之装置,其中:第一电感元件和第一主变容二极体串联耦合于第一FET 之第一闸极和基准电位点之间,又第一辅助变容器二极体耦合于第一FET 之第一闸极和基准电位点之间;及第二电感元件和第二主变容二极体串联耦合于第二FET 之第一闸极和基准电位点之间,又第二辅助变容二极体耦合于第二FET 之第一闸极和基准电位点之间。7.此调谐装置包括:许多射频信源之源;射频级,包括组构为叠接放大器之第一双闸极FET,和耦合于第一FET 放大器第一闸极以响应于调谐电压而选定射频信号之一之第一调谐电路;局部振荡器,包括组构为叠接放大器之第二双闸极FET (情形与第一FET 相同),供调整第二FET放大器以产生指荡之用之振荡调洋装置,及组构与第一调谐电路情形相同之第二调谐电路,耦合于第二FET之第一闸极,以响应于调谐电压而决定局部振荡器之特定振荡频率;及混波器装置,使射频级和局部振荡器之输出信号相组合而产生中频信号。8.根据上述请求专利部份第7.项中所述之装置,其中:第一调谐电路包括第一电感元件和响应于串联耦合于第一FET 之第一闸极和基准电位点之间之调谐电压之第一变容二极体;及第二调谐电路包括第二电感件和响应于串联耦合于第二EFT 之第一闸极和基准电位点之间之调谐电压之第二变容二极体。9.根据上述请求专利部份第8.项年所述之装置,其中:第一电感元件耦合于第一FET之第一闸极和第一变容二极体之间;及第二电感元件耦合于第二FET之第一闸极和第二变容二极体之间。10.根据上述请求专利部份第7.项中所述之装置,其中:第一调谐电路包括第一电感元件和响应于调谐电压之第一主变容二极体,高频级进一步包括耦合至第一FET 之第一闸极且响应于调谐电压之第一辅助变容二极体;及第二调谐电路包括第二电感元件和第二主变容二极体,局部振荡器包括耦合于第二FET 之第一闸极,其情形与第一辅助变容二极体之耦合于第一FET 之第一闸极且响应于调谐电压者相同。11.根据上述请求专利部份第10.项中所述之装置,其中:第一电感元件和第一主变容二极体串联耦合于第一FET之第一闸极与基准电位期之间,第一辅助变容二极体耦合于第一FET 之第一闸极与基准电位点之间;及第二电感元件和第二主变容二极体串联耦合于第二FET 之第一闸极与基准电位点之间,第二辅助变容二极体耦合于第二FET 之第一闸极与基准电位点之间。12.调谐装置包括:许多射频信号之源;射频级,包括组构为叠接放大器之第一双闸极FET ,包括有响应于调谐电压之第一主变容二极体第一调谐电路,及串联耦合于第一FET 放大器之第一闸极与基准电位点之间以响应于调谐电压,从各种射频信号之选定其之一第一电感元件;局部振荡器,包括以与第一FET相同力式组构为叠接放大器之第二闸极FET,用以调整第二FET 放大器使其产生振荡之振荡调整装置,及包括有响应于调谐电压之第二主变容二极体和耦合于第二FET 放大器第一闸极和基准电位点之间以响应于调谐电压而决定局部振荡器之特定频率振荡之第二电感元件;及混波器装置,用以使射频级和局部振荡器之信号组相合以产生出中频信号。13.根据上述请求专利部份第12.项中所述之装置,其中:第一电感元件耦合于第一FET之第一闸极与第一主变第二极体之间;及第二电感元件耦合于第二FET之第一闸极与第二主变容二极体之间。14.根据上述请求专利部份第12.项中所述之装置,其中:射频级进一步包括耦合于第一FET 之第一闸极与基准电位点之间;及局部振荡器进一步包括耦合于第二FET 之第一闸极与基准电位点之间。 |
