发明名称 デバイス相互接続の変化を可能にする積層メモリ
摘要 デバイス相互接続の変化を可能にする積層メモリ。メモリデバイスの一実施形態は、メモリデバイスのためのシステム要素であって、複数のパッドを含むシステム要素、およびシステム要素と接続されているメモリスタックであって、1つまたは複数のメモリダイ層を有するメモリスタックを含み、システム要素とメモリスタックとの接続は、第1のメモリダイ層とシステム要素の複数のパッドとを接続するための相互接続を含む。メモリスタック内の単一のメモリダイ層の場合、複数のパッドの第1のサブセットが、システム要素とメモリスタックとの接続のための第1のグループの相互接続に利用され、2つまたは2つを超えるのメモリダイ層の場合、複数のパッドの第1のサブセットおよび追加の第2のサブセットが、システム要素とメモリスタックとの接続のための第1のグループの相互接続および第2のグループの相互接続に利用される。【選択図】図2
申请公布号 JP2015502664(A) 申请公布日期 2015.01.22
申请号 JP20140544715 申请日期 2011.12.02
申请人 インテル・コーポレーション 发明人
分类号 H01L25/065;H01L25/04;H01L25/07;H01L25/18;H01L27/10 主分类号 H01L25/065
代理机构 代理人
主权项
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