Verfahren zum Bilden von Austauschfins für eine FinFET-Halbleitervorrichtung unter Durchführung eines Austauschaufwachsprozesses

摘要

Es werden hierin verschiedene Verfahren zum Bilden alternativer Finmaterialien offenbart, die in einem stabilen oder metastabilen Zustand sind. In einem Fall wird ein stabiler Austauschfin bis zu einer Höhe gewachsen, die größer ist als eine uneingeschränkte stabile kritische Dicke des Austauschfinmaterials und entlang seiner gesamten Höhe eine Defektdichte von 104 Defekte/cm2 oder weniger aufweist. In einem anderen Fall wird ein metastabiler Austauschfin bis zu einer Höhe gewachsen, die größer ist als eine uneingeschränkte metastabile kritische Dicke des Austauschfinmaterials und wobei der Austauschfin entlang von wenigstens 90% seiner gesamten Höhe eine Defektdichte von 105 Defekte/cm2 oder weniger aufweist.