外腔垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种外腔垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法，属于激光器技术领域。解决了现有技术中外腔垂直腔面发射激光器单模输出稳定性较差，无法满足高功率激光器的应用要求的问题。该激光器包括依次排列的P面电极、P型DBR、有源区、N型DBR、衬底和N面电极，P型DBR中设有具有氧化孔的氧化限制层；还包括耦合腔和凸透镜，耦合腔的下表面固定在出光面上，耦合腔遮挡出光孔，凸透镜由两种折射率不同的介质材料从下至上交替排列组成，每层介质材料的上下表面均为平面，凸透镜的上表面为凸面，凸透镜的下表面为平面且与耦合腔的上表面紧密接触，凸透镜遮挡出光孔。该激光器能够减小高阶模式Q值，增大基膜的Q值，单模输出稳定性好。

主权项

外腔垂直腔面发射半导体激光器，包括依次排列的P面电极(3)、P型DBR(4)、有源区(7)、N型DBR(8)、衬底(9)和N面电极(10)，所述P型DBR(4)中设有具有氧化孔(6)的氧化限制层(5)；其特征在于，还包括，耦合腔(2)和凸透镜(1)；所述耦合腔(2)的下表面固定在出光面上，且耦合腔(2)遮挡出光孔；所述凸透镜(1)由两种折射率不同的介质材料从下至上交替排列组成，每层介质材料的上下表面均为平面，凸透镜(1)的上表面为凸面，凸透镜(1)的下表面为平面且与耦合腔(2)的上表面紧密接触，凸透镜(1)遮挡出光孔。