发明名称 |
发光器件、发光器件封装和包括发光器件封装的照明系统 |
摘要 |
实施方案涉及发光器件、发光器件封装和包括所述发光器件封装的照明系统。所述发光器件包括:发光结构,在所述发光结构下的第二电极,和置于至少一个突起之上的绝缘层。所述第二电极包括底部构件和在所述底部构件上的所述至少一个突起,所述突起穿过所述第二导电型半导体层和有源层。所述至少一个突起包含具有不同尺寸的上部和下部。 |
申请公布号 |
CN102024889B |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
CN201010280520.4 |
申请日期 |
2010.09.10 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
黄盛珉 |
分类号 |
H01L33/20(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
蔡胜有;王春伟 |
主权项 |
一种发光器件,包括:发光结构,所述发光结构包括第一导电型半导体层、在所述第一导电型半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电型半导体层;在所述发光结构下的第二电极,所述第二电极包括底部构件和在所述底部构件上的至少一个突起,所述突起穿过所述第二导电型半导体层和所述有源层;在所述第一导电型半导体层上的第一电极;和设置在所述至少一个突起之上的绝缘层,其中所述至少一个突起包括具有不同尺寸的上部和下部,其中所述第一电极与所述至少一个突起的上表面交叠,其中所述第二电极包括:导电层;和设置在所述绝缘层和所述导电层之间的反射层,其中所述反射层形成为完全填满腔。 |
地址 |
韩国首尔 |