| 发明名称 | VDMOS及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种VDMOS及其制造方法。该方法包括在衬底上形成氧化层、各P+区域、N-区域、栅氧化层和栅极的流程，其中，还包括：在衬底上对应有源区中P+区的位置上方形成保护层，其中，所述保护层位于所述栅极和所述有源区中P+区之间。本发明利用VDMOS的已有制备工艺形成对有源区中P+区的保护层，以减少栅极通过有源区中P+区而产生的栅源漏电现象。 | ||
| 申请公布号 | CN104299908A | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN201310306193.9 | 申请日期 | 2013.07.19 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 马万里 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 孟金喆 |
| 主权项 | 一种垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管VDMOS的制造方法，包括在衬底上形成氧化层、各P+区域、N‑区域、栅氧化层和栅极的流程，其特征在于，还包括：在衬底上对应有源区中P+区的位置上方形成保护层，其中，所述保护层位于所述栅极和所述有源区中P+区之间。 | ||
| 地址 | 100000 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 | ||