浅沟槽隔离结构形成方法

摘要

一种浅沟槽隔离结构形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有边缘区域和中心区域；其特征在于，还包括：在所述半导体衬底表面形成衬垫氧化层，位于中心区域与位于边缘区域的所述衬垫氧化层具有厚度差；在所述衬垫氧化层表面形成刻蚀停止层，位于中心区域与位于边缘区域的所述刻蚀停止层的厚度差与位于中心区域与位于边缘区域的衬垫氧化层的厚度差互补；形成位于衬底内且贯穿所述刻蚀停止层、所述衬垫氧化层的浅沟槽；形成位于所述刻蚀停止层表面且填充满所述浅沟槽的介质层；平坦化所述介质层直至暴露出刻蚀停止层。本发明形成的浅沟槽具有位于中心区域与位于边缘区域的浅沟槽高度差小的优点。

主权项

一种浅沟槽隔离结构形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有边缘区域和中心区域；其特征在于，还包括：在所述半导体衬底表面形成位于中心区域与位于边缘区域具有厚度差的衬垫氧化层；在所述衬垫氧化层表面形成刻蚀停止层，位于中心区域与位于边缘区域的所述刻蚀停止层的厚度差与位于中心区域与位于边缘区域的衬垫氧化层的厚度差互补；形成位于衬底内且贯穿与衬垫氧化层的厚度差互补的所述刻蚀停止层、位于中心区域与位于边缘区域具有厚度差的所述衬垫氧化层的浅沟槽；形成位于所述刻蚀停止层表面且填充满所述浅沟槽的介质层；平坦化所述介质层直至暴露出与衬垫氧化层的厚度差互补的刻蚀停止层。