积层陶瓷电容器及积层陶瓷电容器之制造方法

摘要

本发明提供一种积层陶瓷电容器，该积层陶瓷电容器之陶瓷介电层更薄层化，且即便于施加有高电场强度之电压之情形时，亦显示优异之耐久性与良好之介电特性。;本发明之积层陶瓷电容器包括：陶瓷积层体5，其系积层复数个陶瓷介电层2而成；复数个内部电极3、4，其等系以介隔陶瓷介电层2而互相对向之方式配设于陶瓷积层体5之内部；及外部电极6、7，其等系以与内部电极导通之方式配设于陶瓷积层体之外表面；且该积层陶瓷电容器满足如下要件：内部电极含有Ni与Sn，内部电极之自与陶瓷介电层对向之表面起深度为20nm之区域内之Sn/(Ni+Sn)比以莫耳比计为0.001以上的区域之比例为75%以上，且内部电极之厚度方向之区域内之Sn/(Ni+Sn)比以莫耳比计为0.001以上的区域之比例未达40%。

主权项

一种积层陶瓷电容器，其特征在于包括：陶瓷积层体，其系积层复数个陶瓷介电层而成；复数个内部电极，其等系以介隔上述陶瓷介电层而互相对向之方式配设于上述陶瓷积层体之内部；及外部电极，其系以与上述内部电极导通之方式配设于上述陶瓷积层体之外表面；且上述内部电极含有Ni与Sn，并且，上述内部电极之自与上述陶瓷介电层对向之表面起深度为20nm之区域内之Sn相对于Sn与Ni之合计量之比即Sn/(Ni+Sn)比以莫耳比计为0.001以上的区域之比例为75%以上，且，上述内部电极之厚度方向之中央区域内之Sn相对于Sn与Ni之合计量之比即Sn/(Ni+Sn)比以莫耳比计为0.001以上的区域之比例未达40%。