发明名称 |
用于选择性抛光氮化矽材料之组合物及方法 |
摘要 |
本发明系提供一种适用在化学机械抛光(CMP)方法中抛光含氮化矽基材的酸性含水抛光组合物。该组合物于使用时包含:0.01至2重量%之一微粒状煅烧氧化铈磨料;10至1000 ppm之至少一阳离子聚合物;视需要之10至2000 ppm之一聚氧伸烷聚合物(polyoxyalkylene polymer);以及用于该组合物之含水载剂。该至少一阳离子聚合物系选自聚(乙烯吡啶)聚合物及聚(乙烯吡啶)聚合物与经四级铵取代之聚合物的组合。本发明亦提供一种使用该组合物以抛光基材与优先于多晶矽而自基材选择性去除氮化矽的方法。 |
申请公布号 |
TWI470047 |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
TW101113210 |
申请日期 |
2012.04.13 |
申请人 |
卡博特微电子公司 美国 |
发明人 |
瓦德 威廉 |
分类号 |
C09G1/02;C09K3/14;H01L21/3105 |
主分类号 |
C09G1/02 |
代理机构 |
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代理人 |
陈翠华 台北市松山区南京东路3段261号6楼 |
主权项 |
一种适用在化学机械抛光(CMP)方法中抛光含氮化矽基材的酸性含水抛光组合物,该组合物包含:(a)0.01至10重量%之一微粒状煅烧氧化铈磨料;(b)10至100,000ppm之至少一阳离子聚合物,选自以下群组:(a)聚(乙烯吡啶)聚合物及(b)聚(乙烯吡啶)聚合物与经四级铵取代之聚合物的组合;(c)200至100,000ppm之一聚氧伸烷聚合物(polyoxyalkylene polymer);以及(d)用于该组合物之含水载剂。 |
地址 |
美国 |