晶片封装体及其形成方法

摘要

一种晶片封装体，包括基底；汲极区及源极区，位于基底中；闸极，位于基底上或埋于其中；汲极、源极、及闸极导电结构，设置于基底上，且分别电性连接汲极区、源极区、及闸极；第二基底，设于基底之侧；第二汲极区及第二源极区，位于第二基底中，第二汲极区电性连接源极区；第二闸极，位于第二基底之上或埋于其中；及第二源极及第二闸极导电结构，设置于第二基底上，且分别电性连接第二源极区及第二闸极，其中汲极、源极、闸极、第二源极、及第二闸极导电结构之端点大抵共平面。

主权项

一种晶片封装体，包括：一半导体基底；一汲极区及一源极区，位于该半导体基底中；一闸极，位于该半导体基底之上或至少部分埋于该半导体基底中；一汲极导电结构、一源极导电结构、及一闸极导电结构，设置于该半导体基底之上，且分别电性连接该汲极区、该源极区、及该闸极；一第二半导体基底，横向设置于该半导体基底之一侧；一第二汲极区及一第二源极区，位于该第二半导体基底中，其中该第二汲极区电性连接该半导体基底中之该源极区；一第二闸极，位于该第二半导体基底之上或至少部分埋于该第二半导体基底之中；以及一第二源极导电结构及一第二闸极导电结构，设置于该第二半导体基底之上，且分别电性连接该第二源极区及该第二闸极，其中该汲极导电结构、该源极导电结构、该闸极导电结构、该第二源极导电结构、及该第二闸极导电结构之端点系大抵共平面。