| 发明名称 | 一种多晶铸锭籽晶熔化控制方法及多晶硅铸锭炉 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种多晶铸锭籽晶熔化控制方法，包括以下步骤：(1)在坩埚底部铺设籽晶；在所述籽晶表面装入多晶硅原料，控制热场和工艺，使所述籽晶和所述多晶硅原料自上至下逐步熔化；(2)利用热电偶获取坩埚底部边角部位的温度信号；所述温度信号为所述坩埚底部边角部位的温度、温度变化的斜率和温度变化的累积斜率中的至少一种；(3)根据获取到的所述温度信号，判断所述籽晶熔化的高度；当所述温度信号出现突然上升的突变点时，表示籽晶熔化至设定高度，此时控制热场和工艺，进入长晶阶段。该方法解决了现有技术坩埚侧壁的热电偶很容易受侧部加热器的热辐射影响的问题，可以更加准确地控制籽晶的熔化状态，本发明还提供了一种多晶硅铸锭炉。 | ||
| 申请公布号 | CN104294357A | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN201410568239.9 | 申请日期 | 2014.10.23 |
| 申请人 | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 | 发明人 | 刘俊;胡动力;李松林;何亮;毛伟 |
| 分类号 | C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B28/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人 | 郝传鑫;熊永强 |
| 主权项 | 一种多晶铸锭籽晶熔化控制方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在坩埚底部铺设籽晶；在所述籽晶表面装入多晶硅原料，控制热场和工艺，使所述籽晶和所述多晶硅原料自上至下逐步熔化；(2)利用热电偶获取坩埚底部边角部位的温度信号；所述温度信号为所述坩埚底部边角部位的温度、温度变化的斜率和温度变化的累积斜率中的至少一种；(3)根据获取到的所述温度信号，判断所述籽晶熔化的高度；当所述温度信号出现突然上升的突变点时，表示籽晶熔化至设定高度，此时控制热场和工艺，进入长晶阶段。 | ||
| 地址 | 338000 江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室 | ||