一种MOS静电保护结构及保护方法

摘要

本发明提供一种MOS静电保护结构及保护方法，所述MOS静电保护结构至少包括在漏极区中制作的局部硅氧化隔离结构，所述局部硅氧化隔离结构包括沟槽和填充于所述沟槽内的介质层。本发明通过在所述漏极区中制作局部硅氧化隔离结构，漏极区的电阻绕过局部硅氧化隔离结构，使漏极区电阻长度增加，从而增大漏极区电阻值，减小电流，改善静电冲击电流部分的均匀性，提高静电保护能力。本发明与正常的局部硅氧化隔离结构工艺兼容，可以满足更高的器件使用场合要求，而且结构简单，适用于各种集成电路的静电保护应用领域。

主权项

一种MOS静电保护结构，其特征在于，所述MOS静电保护结构至少包括在漏极区中制作的局部硅氧化隔离结构，所述局部硅氧化隔离结构包括沟槽和填充于所述沟槽内的介质层。