发明名称 雷射装置
摘要
申请公布号 TW125070 申请公布日期 1989.12.11
申请号 TW078205615 申请日期 1988.07.12
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 八木重典;田中正明;安井公治;葛本昌树
分类号 H01S3/05 主分类号 H01S3/05
代理机构 代理人 洪武雄 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;陈灿晖 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼
主权项 1﹒一种雷射装置,包括一非稳定共振器,该非稳定共振器系由一形成在凸而成四面窗镜之中心部分且具有部分透射性之扩张镜及一装设在该扩张镜对面之瞄准镜所组成,该瞄准镜系用以将由该扩张镜反射与放大之雷射光束反射至该扩张镜并反射至环绕该扩张锁之窗镜环形区域,该扩张镜系藉由于前述两表面上皆被覆有非反射膜之窗镜之内中心部分上形成一部分反射膜而形成者。2﹒如申请专利范围第1项所述之雷射装置,复包括用以导出分别通过该扩张镜与该环形区域之雷射光束部分同时并将该等雷射光束部分间之相位差消除之装置。3﹒如申请专利范围第1项或第2项之雷射装置,其中该扩张镜之两表面具有相同的曲率半径。4﹒如申请专利范围第1项或第2项之雷射装置,其中该扩张镜其整个表面上之部分透射性为一定者。5﹒如申请专利范围第1项或第2项所述之雷射装置,其该部分反射膜系由单一层所组成。6﹒如申请专利范围第5项所述之雷射装置,其中该部分反射膜系以和该扩张镜之基材相同之材料制成。7﹒如申请专利范围第6项之雷射装置,其中一其直径和该扩张镜之直径相同且面对该扩张镜之反射膜系设在该瞄准镜之中心部分上。8﹒如申请专利范围第6项之雷射装置,其中该瞄准镜除中其中心部分外系被覆有一反射膜,该反射膜之直径系与前述扩张镜之直径相同且其系面对着前述扩张镜者。9﹒如申请专利范围第7或8项所述之雷射装置,其中该反射膜之厚度d系由下列方程式决定:其中A为雷射光束之波长,为通过该扩张镜之雷射光束部分与通过该窗镜环形区域之雷射光束部分间之相位差。10﹒如申请专利范围第6项之雷射装置,其中该瞄准镜其面对该扩张镜之中心部分系设成阶部,该阶部系具有和该扩张镜之直径相同之直径者。11﹒如申请专利范围第6项之雷射装置,其中该扩张镜系相对该环形区域而设成阶部者。12﹒如申请专利范围第6项之雷射装置,其中该装置包括一相位补偿镜。13﹒如申请专利范围第12项所述之雷射装置,其中该相位补偿镜具有容许对应于该环形区域之雷射光束部分通过之第一部分及容许对应于该扩张镜之雷射光束部分通过之第二部分,该相位补偿镜之第一与第二部分系具本相异之构造。14﹒如申请专利范围第13项所述之雷射装置,其中该相位补偿镜之第一与第二部分间之构造上差异系由形成于该第一与第二部分间之阶部所赋予者。15﹒如申请专利范围第13项所述之雷射装置,其中该相位补偿镜之第一与第二部分间之构造上差异系由形成于该相位补偿镜,第一与第二部分上之膜与膜间之构造上差异所赋予者。16﹒如申请专利范围第14项所述之雷射装置,其中该相位补偿镜包括一反射镜,而且该阶部系藉由于该反射镜上形成一金属膜而产生者。17﹒如申请专利范围第6项之雷射装置,其中该装置包括该扩张镜与该环形区域间之外表面构造上之差异。18﹒如申请专利范围第17项所述之雷射装置,其中该差异包括形成于该扩张镜与该环形区域间之阶部。19﹒如申请专利范围17项所述之雷射装置,其中该差异包括形成于该扩张镜与该环形区域上之膜与膜间之构造上差异。20﹒如申请专利范围第1项或第2项之雷射装置,其中该膜系由IBC形成者。图示简单说明第1图为本创作一实施例之雷射装置之横剖面侧视图;第2a与2b图分别显示传统雷射装置与第1图所示实施例之聚光特性(condensingcharacteriStics);第3a-23图分别为本创作其它实施例之横剖面侧视图;第24图为传统雷射装置之横剖面侧视图。
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