| 发明名称 |
用于氧化铜蚀刻残留物之移除及避免铜电镀之水相酸性调配物 |
| 摘要 |
本发明系关于一种用于自Cu-双镶嵌式微电子结构移除氧化铜蚀刻物之高度酸性水相清洗组合物且其中该组合物避免或实质上消除Cu再沉积于Cu-双镶嵌式微电子结构上。 |
| 申请公布号 |
TWI470119 |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
| 申请号 |
TW098138753 |
申请日期 |
2009.11.13 |
| 申请人 |
艾万拓股份有限公司 美国 |
发明人 |
沃斯伍德 格伦;洪性辰;金相仁 |
| 分类号 |
C23F1/18;H01L21/306;C11D1/68 |
主分类号 |
C23F1/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
一种用于清洗Cu-双镶嵌式微电子结构之水相酸性清洗组合物，该组合物包括以下成分之调配物：(a)约68.45%至约98.95%之水；(b)约0.3重量%至约8重量%之至少一种烷醇胺或胺苯酚；(c)约0.1%至约2%之至少一种金属螯合剂；(d)约0.05%至约1.6%之至少一种氟化四烷基铵；(e)约0.1%至约5%之氟化氢；及(f)大于0%至约15%之至少一种含有环氧乙烷链或环氧乙烷/乙二醇链之非离子型界面活性剂；其中该等百分比为基于该调配物之总重量之重量百分比且该组合物具有约4至约5.5之pH值。 |
| 地址 |
美国 |
