一种差分架构只读存储单元

摘要

本发明是一种差分架构只读存储单元，每个单元包括四条位线支路BL1、BL1B、BL2和BL2B，以及一条字线WL，所述支路BL1和支路BL1B之间构成差分对，所述支路BL2和支路BL2B之间构成差分对，每个差分对之间共用两个MOS场效应晶体管。采用本发明技术方案，差分架构ROM单元一定程度上扩大器件读操作时可区分的电流范围，同时读取时采用两条支路对比输入差分放大器，可以避免采用基准电路带来的不匹配问题，极大地提高了读取的稳定性，具有广阔的市场应用前景。

主权项

一种差分架构只读存储单元，其特征在于，每个单元包括四条位线支路BL1、BL1B、BL2和BL2B，以及一条字线WL，所述支路BL1和支路BL1B之间构成差分对，所述支路BL2和支路BL2B之间构成差分对，每个差分对之间共用两个MOS场效应晶体管；所述MOS场效应晶体管包括栅极、源极和漏极，两个MOS场效应晶体管的栅极共同连接字线WL，源极接地；由支路BL1和支路BL1B构成的差分对，其中一个MOS场效应晶体管的漏极连接支路BL1，另一个MOS场效应晶体管的漏极连接支路BL1B；由支路BL2和支路BL2B构成的差分对，其中一个MOS场效应晶体管的漏极连接支路BL2，另一个MOS场效应晶体管的漏极连接支路BL2B。