发明名称 |
同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法 |
摘要 |
一种同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法,包括以下步骤:步骤1:在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型限制层和p型接触层;步骤2:将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型;步骤3:在刻蚀成脊型上生长一层氧化模,并采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极;步骤4:将砷化镓衬底减薄、清洗,并在砷化镓衬底的背面制作n型欧姆电极,形成激光器;步骤5:进行解理,在激光器的腔面镀膜,最后封装在管壳上,完成制备。本发明可以提高激光器激射的单模特性,提高光束质量。 |
申请公布号 |
CN104300365A |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
CN201410563124.0 |
申请日期 |
2014.10.21 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
李翔;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;朱建军 |
分类号 |
H01S5/22(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/22(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法,包括以下步骤:步骤1:在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型限制层和p型接触层;步骤2:将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型;步骤3:在刻蚀成脊型上生长一层氧化模,并采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极;步骤4:将砷化镓衬底减薄、清洗,并在砷化镓衬底的背面制作n型欧姆电极,形成激光器;步骤5:进行解理,在激光器的腔面镀膜,最后封装在管壳上,完成制备。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |