发明名称 同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法
摘要 一种同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法,包括以下步骤:步骤1:在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型限制层和p型接触层;步骤2:将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型;步骤3:在刻蚀成脊型上生长一层氧化模,并采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极;步骤4:将砷化镓衬底减薄、清洗,并在砷化镓衬底的背面制作n型欧姆电极,形成激光器;步骤5:进行解理,在激光器的腔面镀膜,最后封装在管壳上,完成制备。本发明可以提高激光器激射的单模特性,提高光束质量。
申请公布号 CN104300365A 申请公布日期 2015.01.21
申请号 CN201410563124.0 申请日期 2014.10.21
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 李翔;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;朱建军
分类号 H01S5/22(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I 主分类号 H01S5/22(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 任岩
主权项 一种同时降低发散角和阈值电流的激光器的制备方法,包括以下步骤:步骤1:在砷化镓衬底上依次制作n型限制层、n型低折射率插入层、n型波导层、量子阱有源区、p型波导层、p型低折射率插入层、p型限制层和p型接触层;步骤2:将P型接触层和P型限制层湿法腐蚀或干法刻蚀成脊型;步骤3:在刻蚀成脊型上生长一层氧化模,并采用光刻的方法在p型接触层的上表面制作p型欧姆电极;步骤4:将砷化镓衬底减薄、清洗,并在砷化镓衬底的背面制作n型欧姆电极,形成激光器;步骤5:进行解理,在激光器的腔面镀膜,最后封装在管壳上,完成制备。
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