发明名称 | 熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶 | ||
摘要 | 关于熔盐籽晶法生长晶体的方法。用这种方法生长的低温相偏硼酸钡单晶,经全面性能测试工作,证实该晶体是一种优良的非线性光学、热电等多功能材料,其培养方法包括配料、下籽晶、生长三个步骤,采用Na<SUB>2</SUB>O或NaF作助熔剂;籽晶的位置位于熔液表面;籽晶取向为C轴方向;籽晶以0.03℃/小时—0.2℃/小时的速率生长。用这种方法,可稳定地生长出Φ67mm,中心厚度达15毫米、呈立碗形的大单晶。 | ||
申请公布号 | CN1045282A | 申请公布日期 | 1990.09.12 |
申请号 | CN85101617.0 | 申请日期 | 1985.04.01 |
申请人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明人 | 江爱栋 |
分类号 | C30B29/10;C30B9/04 | 主分类号 | C30B29/10 |
代理机构 | 中国科学院福建物质结构研究所专利代理处 | 代理人 | 何小星 |
主权项 | 1、一种熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡晶体的方法,其步骤包括配料、升温、下籽晶、按一定程序降温生长,本发明的特征在于:(1)晶体生长所用助熔剂为NaF或Na2O(2)在配料中,BaB2O4与助熔剂的配料比为BaB2O4/Na2O=73-78/27-22(克分子百分数)或BaB2O4/NaF=64-67/36-33(克分子百分数);(3)下籽晶时,籽晶的位置位于熔液表面,籽晶取向为垂直于水平液面的C轴方向;(4)晶体生长过程中,其降温速率为0.03℃/小时-0.2℃/小时;(5)晶体生长过程中,晶体转速为5-70转/分。 | ||
地址 | 福建省福州市西河 |