发明名称 一种粗调和细调相结合的环形压控振荡器电路
摘要 本发明涉及一种粗调和细调相结合的环形压控振荡器电路。通过在环形压控振荡器中引入粗调,振荡器的频带被分成多个相互交叠的子频带,有效降低了覆盖特定频带所需的调谐增益,从而使环形压控振荡器对衬底噪声等环境噪声的敏感度大大降低。粗调采用延迟单元输出端并接开关电阻的方式来实现,通过开关电阻的接入或断开,输出端的RC时间常数发生相应改变;根据环形振荡器震荡频率与延迟单元输出端RC时间常数成反比的关系,震荡频率实现粗调。由于引入的电阻与标准数字集成工艺兼容,该环形压控振荡器也与标准数字集成电路工艺兼容。本发明的环形压控振荡器具有一种低调谐增益、宽频带输出且与标准数字集成电路工艺完全兼容的优点。
申请公布号 CN104300972A 申请公布日期 2015.01.21
申请号 CN201410521369.7 申请日期 2014.09.30
申请人 杭州电子科技大学 发明人 高海军;孙玲玲
分类号 H03L7/099(2006.01)I 主分类号 H03L7/099(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 杜军
主权项 一种粗调和细调相结合的环形压控振荡器电路,包括四级延迟单元,其特征在于:每级延迟单元包括四个NMOS管、四个PMOS管和一个开关电阻阵列; 所述的开关电阻阵列包括并联的多个开关单元,每个开关单元包括前开关电阻、后开关电阻和开关,前开关电阻的一端与开关的一端连接,后开关电阻的一端与开关的另一端连接;每个开关单元中的前开关电阻的另一端与第一NMOS管的漏极、第三NMOS管的漏极、第一PMOS管的漏极、第三PMOS管的漏极连接,作为延迟单元的反相输出端;每个开关单元中的后开关电阻的另一端与第二NMOS管的漏极、第四NMOS管的漏极、第二PMOS管的漏极、第四PMOS管的漏极连接,作为延迟单元的同相输出端;第一NMOS管的栅极作为延迟单元的第一同相输入端,第二NMOS管的栅极作为延迟单元的第一反相输入端;第一PMOS管的栅极作为延迟单元的第二反相输入端;第二PMOS管的栅极作为延迟单元的第二同相输入端;第三NMOS管的源极与第四PMOS管的栅极连接,第四NMOS管的源极与第三PMOS管的栅极连接;第三NMOS管的栅极和第四NMOS管的栅极连接,作为外部电压控制端;第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管的源极连接外部电源电压VDD,第一NMOS管、第二NMOS管的源极接地。
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