垂直腔面发射半导体激光器

摘要

本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器，属于激光器技术领域。解决了现有技术中VCSEL输出的单模功率低、单模稳定性差的技术问题。该激光器，包括从上至下依次紧密排列的P型DBR、有源区、N型DBR、衬底和N面电极，P型DBR中设有具有氧化孔的氧化限制层；该激光器还包括P面电极、透明导电薄膜和环形绝缘介质膜，环形绝缘介质膜固定在P型DBR的上表面上，且遮挡出光孔的边缘，透明导电薄膜固定在P型DBR的上表面上，且覆盖环形绝缘介质膜，并遮挡出光孔；P面电极固定在透明导电薄膜上表面的边缘，且不遮挡出光孔。该激光器能增加基模的输出功率，提高可靠性。

主权项

垂直腔面发射半导体激光器，包括从上至下依次紧密排列的P型DBR(4)、有源区(8)、N型DBR(5)、衬底(9)和N面电极(10)，所述P型DBR(4)中设有具有氧化孔(7)的氧化限制层(6)；其特征在于，还包括P面电极(1)、透明导电薄膜(2)和环形绝缘介质膜(3)；所述环形绝缘介质膜(3)固定在P型DBR(4)的上表面上，且遮挡出光孔的边缘；所述透明导电薄膜(2)固定在P型DBR(4)的上表面上，且覆盖环形绝缘介质膜(3)，并遮挡出光孔；所述P面电极(1)固定在透明导电薄膜(2)上表面的边缘且不遮挡出光孔。