发明名称 |
一种等离子体处理装置 |
摘要 |
本发明公开了一种等离子体处理装置,通过设置一带加热元件的等离子体加热环,实现对反应腔内的等离子体加热,满足刻蚀工艺对等离子体温度的要求;在所述加热元件的周围设置隔热渠道,将等离子体加热环的加热元件产生的热量与周围的部件和外部空间进行隔离,在使得热量不被损耗的同时,保证了各个部件之间的温度能独立控制,便于反应工艺在不同位置对温度的不同需求。隔热渠道将加热元件产生的热量与外部空间进行隔离,能保证外部空间的温度不会对操作人员造成威胁。 |
申请公布号 |
CN104299874A |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
CN201310299430.3 |
申请日期 |
2013.07.17 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
左涛涛;吴狄 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
王洁 |
主权项 |
一种等离子体处理装置,包括一绝缘窗口和位于绝缘窗口下方的腔体盖,腔体盖下方设置腔体侧壁,所述腔体盖和所述腔体侧壁之间设置一等离子体加热环,其特征在于:所述等离子体加热环内设置一加热元件,所述加热元件周围设置至少一条隔热渠道。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |