背面金属化共晶工艺方法

摘要

本发明涉及半导体加工工艺方法。一种背面金属化共晶工艺方法包括如下步骤：1)通过减薄设备对硅晶圆片上进行减薄处理；2)在硅片上表面进行第一次腐蚀处理；3)对硅片进行清洗；4)在硅片上表面进行第二次腐蚀处理；5)将硅片进行冲水甩干；6)对硅片上表面进行金属蒸发处理，在硅片往上依次形成钛金属层、镍金属层和锡锑共晶合金层；7)采用共晶焊接工艺对硅片进行封装处理。本发明背在硅片上进行金属蒸发形成多层金属层，在硅片上的第一层为钛金属层，能与硅片形成良好欧姆接触，第二层为镍金属层能够与钛金属层形成良好接触，第三层为锡锑共晶合金层无剧毒安全可靠，改变了原有背面金属化共晶工艺方法的工艺缺陷，降低了工艺成本。

主权项

一种背面金属化共晶工艺方法，其步骤如下：1)通过减薄设备对硅晶圆片上进行减薄处理，获得作为衬底的硅片(1)；2)在所述硅片(1)上表面进行第一次腐蚀处理，将硅片(1)进一步腐蚀减薄；3)对所述硅片(1)进行清水清洗；4)对硅片(1)上表面进行金属蒸发处理，在硅片(1)上表面形成钛金属层(2)；5)对硅片(1)继续进行金属蒸发处理，在钛金属层(2)上形成镍金属层(3)；6)对硅片(1)进一步进行金属蒸发处理，在镍金属层(3)上形成锡锑共晶合金金属层(4)；7)采用共晶焊接工艺对硅片(1)进行封装处理。