| 发明名称 | 快闪存储器及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种快闪存储器及其形成方法，其中所述快闪存储器包括：基底；所述基底上由下至上依次设置的隧道介质层、浮置栅极、栅间介质层和控制栅极；所述隧道介质层包括凸起，所述浮置栅极覆盖所述凸起的上表面和侧壁。本发明提供的快闪存储器具有很高的电容耦合率。 | ||
| 申请公布号 | CN104299944A | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN201310298080.9 | 申请日期 | 2013.07.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 孙光宇;宋化龙 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成隧道介质层，所述隧道介质层包括凸起，所述凸起定义浮置栅极的位置；在所述隧道介质层上由下至上依次形成浮置栅极、栅间介质层和控制栅极，所述浮置栅极覆盖所述凸起的上表面和侧壁。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||