发明名称 |
一种硅片表面钨铁金属离子的清洗方法 |
摘要 |
本发明公开了一种硅片表面金属钨铁的清洗方法,该方法首先将有金属钨和铁的硅片进行超声清洗,然后用氢氟酸、双氧水和水的混合液进行处理,再依次移入氢氟酸、盐酸和硝酸组成的混合溶液,盐酸,双氧水和水组成的混合液,氨水、双氧水和水组成的混合液以及氢氟酸稀溶液中超声清洗,清洗后冲洗、脱水、烘干。本发明提供的硅片清洗方法,能有效去除硅片表面的金属钨,使不小心被钨或铁污染的硅片,满足工业要求。 |
申请公布号 |
CN104299890A |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
CN201410527081.0 |
申请日期 |
2014.10.09 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
贾红;郑书红;邱建荣 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I;B08B3/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
邱启旺 |
主权项 |
一种硅片表面金属钨铁离子的清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将表面有金属钨或者铁的硅片在50~60℃的去离子水内超声处理5~10min;(2)将超声后的硅片,放入由氢氟酸、双氧水和水按照体积比1~5:20~100:80~500组成的混合液中超声处理3~10min,混合液的温度为30~70℃;(3)将硅片放入由氢氟酸、盐酸、硝酸和去离子水按照体积比30~90:0.005~1:20~35:80~500组成的混合溶液内超声处理5~20min;混合溶液的温度为30~70℃;(4)将步骤3清洗过的硅片移入由盐酸、双氧水和水按照体积比10~50:1~50:80~500组成的混合液中,超声清洗5~10min;混合液的温度约30~70℃;(5)将步骤4处理过的硅片移入由氨水、双氧水和水按照体积比1~2:2~4:80~100组成的混合液内,超声1~10min;混合液的温度为30~50℃;(6)将硅片放入氢氟酸稀溶液中超声5~30S;所述氢氟酸稀溶液由氢氟酸和水配成,氢氟酸与水的体积比为1:40~150,溶液温度为30~50℃;(7)反复用去离子水清洗硅片,在无水乙醇中脱水3~7分钟;在50~70℃的烘箱内烘干。 |
地址 |
310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号 |