| 发明名称 | 介质层的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种介质层的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；对所述介质层进行刻蚀或平坦化工艺，经过上述工艺所述介质层内吸收水份；用远红外线对介质层表面进行处理。本发明避免了水份对超低k介质层的介电常数的影响，有效防止了超低k介质层的k值漂移及电容的大幅变化，保证半导体器件的稳定性和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102800622B | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN201110139456.2 | 申请日期 | 2011.05.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种介质层的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介质层；对所述介质层进行刻蚀或平坦化工艺，经过上述工艺所述介质层内吸收水份；用远红外线对介质层表面进行处理，所述远红外的波长范围为3μm～10μm，采用的功率为50～500w，压力为0.3毫托，所述远红外处理介质层表面的温度为5℃～10℃，处理时间为80s～150s。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||