| 发明名称 | 用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料。该Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料的通式为Ga<sub>x</sub>Ge<sub>y</sub>Sb<sub>z</sub>Te<sub>w</sub>，其中0<x≤16，23≤y≤28，26≤z≤31，30≤w≤40。该Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料具有结晶温度高，热稳定性好，数据保持力强等特点，可以应用在汽车电子等高温领域。 | ||
| 申请公布号 | CN103050624B | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN201310025243.6 | 申请日期 | 2013.01.23 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 张中华;宋三年;宋志棠;吕叶刚 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;C22C12/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 一种用于相变存储器的Ga‑Ge‑Sb‑Te薄膜材料，其特征在于：所述用于相变存储器的Ga‑Ge‑Sb‑Te薄膜材料的通式为Ga<sub>6</sub>Ge<sub>28</sub>Sb<sub>26</sub>Te<sub>40</sub>。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||