| 发明名称 |
ＰＴＣ元件和发热体模组 |
| 摘要 |
本发明之目的在于使用无铅(Pb-free)的半导体陶瓷组成物，提供可薄型化的PTC元件。;本发明系藉由下述PTC元件实现，该PTC元件系具有至少2个金属电极、及在电极间配置的BaTiO3系半导体陶瓷组成物，其中，半导体陶瓷组成物系BaTiO3系的Ba之其中一部分被Bi-Na与半导体化元素所取代，且藉由至少缺乏Bi之其中一部分，而在Bi位点(Site)形成空孔，并在其结晶中形成氧缺陷。因为半导体陶瓷组成物内部的PTCR特性，相较于半导体陶瓷组成物与电极间之界面处的PTCR特性，系属于可忽视程度的小，因而可将PTC元件予以薄板化。 |
| 申请公布号 |
TWI470653 |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
| 申请号 |
TW100112183 |
申请日期 |
2011.04.08 |
| 申请人 |
日立金属股份有限公司 日本 |
发明人 |
岛田武司;猪野健太郎;木田年纪 |
| 分类号 |
H01C7/02;C04B35/468;H01B3/12 |
主分类号 |
H01C7/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
赖经臣 台北市松山区南京东路3段346号11楼;宿希成 台北市松山区南京东路3段346号11楼 |
| 主权项 |
一种PTC元件，系具有至少2个金属电极、及在上述电极间配置的BaTiO3系半导体陶瓷组成物者，其中，上述半导体陶瓷组成物系BaTiO3系的Ba之其中一部分被Bi-Na与半导体化元素所取代，至少在Bi位点(site)形成空孔，并在其结晶中形成氧缺陷；上述Bi的空孔率系相对于Bi位点为大于5%且在75%以下。 |
| 地址 |
日本 |
