用于高电流离子植入之低污染低能量束线架构以及其之操作方法

摘要

一种离子植入系统，包括：一离子源，其沿着一射束路径产生一离子束；一在该离子源之下游的质量分析器构件，其在该离子束上实施质量分析与角度修正；一解析孔径电极，包括在该质量分析器构件之下游的至少一电极，且沿着该射束路径所具有一尺寸与形状是根据所选择之质量解析度与射束包络；一在解析孔径电极之下游的偏移元件，其改变该偏移元件射出该离子束之路径；一在偏移元件之下游的减速电极，其将该离子束进行减速；一支持平台，其在一终点站中以用于将由带电离子所植入之工件进行维持与定位，以及其中该终点站以大约8度逆时针安装，以致于所偏移之该离子束垂直于该工件。

主权项

一种离子植入系统，包括：一离子源，其沿着一射束路径而产生一离子束；一质量分析器构件，其在该离子源之下游，该质量分析器构件在该离子束上实施质量分析与角度修正；一解析孔径电极，其在该质量分析器组件之下游包括至少一电极，且其沿着该射束路径具有根据所选择之一质量解析度与一射束包络的一尺寸与形状；一偏移元件，其在该解析孔径电极之下游，该偏移元件改变该离子束射出该偏移元件之一角度；一减速电极，其在该偏移元件之下游，该减速电极实施电荷中和且将该离子束减速；一支持平台，其在一终点站中，以用于将以带电离子进行植入之一工件维持与定位；以及其中该终点站并非静止，但以大约0至90度在顺时针或逆时针方向中旋转，以致于所偏移之该离子束垂直于该工件。